7月19日消息，国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种低阻N型氧化镓晶体及其生长方法”的专利，公开号CN120330890A，申请日期为2023年09月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低阻N型氧化镓晶体及其生长方法，生长方法包括以下几个步骤：原料的预处理：对氧化镓粉末和掺杂原料粉末混合而成的掺杂氧化镓料块烧结处理；晶体的生长：加热铱金坩埚使掺杂氧化镓料块熔化，增加中频感应线圈功率使得氧化镓熔体温度升高并保温，降温至氧化镓的熔点并保持熔体状态，先降低上中频感应线圈功率使得熔体上表面冷心处自发成核并实现成核晶体的横向生长，再降低下中频感应线圈功率使得氧化镓熔体自上而下生长，直至完全长成晶体；晶体生长后处理：晶体生长结束后，降温至1200℃～1400℃，保温，冷却至室温得到低阻N型氧化镓晶体，该生长方法过程简单，便于控制晶体生长速度，提高晶体的成晶率，实现大规模的量产。
天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本148.0918万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
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