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杭州镓仁半导体申请低阻N型氧化镓晶体及其生长方法专利,提高晶体的成晶率

7月19日消息,国家知识产权局信息显示,杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种低阻N型氧化镓晶体及其生长方法”的专利,公开号CN120330890A,申请日期为2023年09月。专利摘要显示,本发明公开了一种低阻N...【详细】

金融界品牌2025/07/19

北京榜样走进正阳门箭楼 聆听历史回响 感悟文化传承

为营造崇尚先进、见贤思齐的浓厚氛围,进一步发挥榜样的示范引领作用,在中国共产党成立104周年之际,多位北京榜样齐聚正阳门箭楼,深刻领略了这座北京老城城垣结构标志性建筑的独特魅力,感悟北京中轴线上标志建筑的奕奕风采。正...【详细】

中国杭州网品牌2025/07/03